Thiết kế mạch LDO đầu vào dải rộng sử dụng công nghệ CMOS 180 nm
Tóm tắt: 128
| 
PDF: 308 
##plugins.themes.academic_pro.article.main##
Author
Từ khóa:
Điện áp đầu vào dải rộng
mạch quản lý nguồn
mạch ổn áp tuyến tính điện áp rơi thấp
Tóm tắt
Bài báo này trình bày về thiết kế mạch ổn áp tuyến tính điện áp rơi thấp (LDO) đạt được dải rộng của điện áp đầu vào trên công nghệ CMOS TSMC 180 nm. Nghiên cứu về mạch LDO cho thấy, để đạt được dải điện áp đầu vào rộng, các đề xuất trước đây sử dụng kiến trúc mạch phức tạp, xếp chống nhiều tầng LDO, điều này dẫn đến tiêu thụ nhiều công suất và diện tích chiếm. Do vậy, trong bài báo này nhóm tác giả đề xuất một kiến trúc mạch LDO đơn giản sử dụng một mạch đơn giản ở đầu vào để mở rộng dải điện áp làm việc của mạch LDO. Thêm vào đó, để cải thiện chất lượng của mạch LDO, kỹ thuật suy giảm trở kháng bộ đệm đã được thực hiện để điều khiển thiết bị công suất PMOS. Kết quả mô phỏng cho thấy LDO đạt được dải điện áp đầu vào rộng từ 3.6 V đến 12.6 V và một điện áp rơi thấp 300 mV.
Tài liệu tham khảo
-
[1] Guo, J., & Leung, “A 6-uW Chip-area-efficient output-capacitor less LDO in 90-nm CMOS technology”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 45(9), 1896–1905, 2010.
[2] Liang-Guo Shen, et al.: “Design of Low-Voltage Low-Dropout Regulator with Wide-Band High-PSR Characteristic”, International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006.
[3] M. Lüders, et al.: “A Fully-Integrated System Power Aware LDO for Energy Harvesting Applications”, Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, 2011.
[4] D. Khan, et al.: “Design of a Capacitor-Less LDO with High PSRR for RF Energy Harvesting Applications”, ISOCC, 2017.
[5] H. Zhang, et al.: “A 318 nA Quiescent Current 0-10mA Output Transient Enhanced Low-Dropout Regulator Applied in Energy Harvest System”, International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, 2017.
[6] Carl Lester S. De Guzman, et al.: “Switched-Capacitor Converter with Low Dropout Voltage Regulator for Wireless Sensor Nodes”, TENCON 2012 IEEE Region 10 Conference.
[7] Jiaqi Yin, et al.: “An 800 mA Load Current LDO with Wide Input Voltage Range”, International Conference on Circuits, Devices and Systems, 2017.
[8] Hanxiao Du, Xinquan Lai and Yuan Chi, “A high voltage LDO with dynamic compensation network”, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 2014.
[9] Koichiro Ishibashi, et al.: “A 375 nA Input Off Current Schmitt Triger LDO for Energy Harvesting IoT Sensors”, ISVLSI2018.
[10] Ryohei Takitoge, et al.: “Temperature Beat: Persistent and Energy Harvesting Wireless Temperature Sensing Scheme”, IEEE SENSORS, 2016.
[11] Al-Shyoukh, H. Lee, R. Perez, “A transient enhanced low-quiescent current low-dropout regulator with buffer impedance attenuation”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 42(8), 1732–1742, 2007.
[12] R. Backer, Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Series on Microelectronic Systems, 2010.
Xem thêm
##plugins.themes.academic_pro.article.sidebar##
Đã Xuất bản
Oct 31, 2019
Download
Cách trích dẫn
Nguyen Huu Tho, Nguyen The Quang. “Thiết Kế mạch LDO đầu vào dải rộng sử dụng công nghệ CMOS 180 Nm”. Tạp Chí Khoa học Và Công nghệ - Đại học Đà Nẵng, vol 17, số p.h 10.1, Tháng Mười 2019, tr 13-17, https://jst-ud.vn/jst-ud/article/view/2459.
