Đặc tính điện tử của transistor hiệu ứng trường dây nano silicon
Tóm tắt: 34
| 
PDF: 23 
##plugins.themes.academic_pro.article.main##
Author
Từ khóa:
dây nano silicon
transistor hiệu ứng trường
hệ số mở/đóng
hỗ dẫn
vận tốc hạt dẫn
Tóm tắt
Transistor hiệu ứng trường dùng dây nano silicon rất được quan tâm nghiên cứu và cho thấy khả năng ứng dụng rất lớn trong lĩnh vực điện tử. Trong nghiên cứu này, transistor hiệu ứng trường dùng dây nano silicon được khảo sát dùng mô hình thuật toán transistor nano kiểu đạn đạo, bỏ qua các sự kiện tạn xạ hạt dẫn trong quá trình di chuyển qua kênh. Kết quả phân tích đặc tính dòng-áp cho thấy linh kiện hoạt động ổn định với hiệu suất cao: hệ số mở/đóng (106), hỗ dẫn (10-4S/m) và vận tốc hạt dẫn (105m/s) đều đạt giá trị rất tốt và đặc biệt là điện áp hoạt động thấp tương ứng với ít tiêu thụ điện năng. Kết quả nghiên cứu cũng cho thấy các đặc tính kỹ thuật của linh kiện phụ thuộc rất lớn vào đường kính dây nano silicon, độ dày lớp điện môi cực cổng và vật liệu dùng làm lớp cách điện cực cổng (SiO2, Si3N4, Al2O3, Y2O3, ZrO2, HfO2). Chi tiết sự tác động của các yếu tố này đối với đặc tính điện tử của transistor dây nano silicon được phân tích và thảo luận.
Tài liệu tham khảo
-
[1] Y. Cui, Z. Zhong, D. Wang, W. U. Wang, C. M. Lieber, “High Performance Silicon Nanowire Field Effect Transistors”, Nano Lett., 3, 149-152 (2003).
[2] J. Maassen, H. Guo, “Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels”, Phys. Rev. Lett., 109, 266803 (2012).
[3] K. Nozari, A. Bahari, P. Parsi, “The Short Channel Effects on Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors”, The IUP Journal of Physics, 4, 6-15 (2011).
[4] J. Xiang, W. Lu, Y. J. Hu, Y. Wu, H. Yan, C. M. Lieber, “Ge/Si nanowire heterostructures as high-performance field-effect transistors”, Nature, 441, 489-493 (2006).
[5] S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, X. Zhou, P. K. L. Yu, E. T. Yu, D. Wang, “High Electron Mobility InAs Nanowire Field-Effect Transistors”,Small, 3, 326 – 332 (2007).
[6] A. Rahman, J. Guo, S. Datta, M. Lundstrom, “Theory of Ballistic Nanotransistors”, IEEE Transactions on Electron Devices, 50, 1853-1864 (2003).
[7] A. Rahman; J. Guo; Md. S. Hasan; Y. Liu; A. Matsudaira; S. S. Ahmed; S. Datta; M. Lundstrom, "FETToy,", DOI: 10.4231/D38S4JQ3J (2015).
[8] Z. Chen, J. Appenzeller, Y.M. Lin, J. Sippel-Oakley, A. G. Rinzler, J. Tang, S. J. Wind, P. M. Solomonand, P.Avouris, “An Integrated Logic Circuit Assembled on a Single Carbon Nanotube”, Science, 311, 1735 (2006).
[9] R. Sahoo, R. R. Mishra, “Simulations of Carbon Nanotube Field Effect Transistors”, International Journal of Electronic Engineering Research, 1, 117-125 (2009).
[10] A. C. Ford, J. C. Ho, Y. Chueh, Y. Tseng, Z. Fan, J. Guo, J. Bokor, A. Javey, “Diameter-Dependent Electron Mobility of InAs Nanowires”, Nano Lett., 9, 360-365 (2009).
[11] C. Li, P. Yeh, J. Yu, L. Peng, Y. Wu, “Scaling performance of Ga2O3/GaN nanowire field effect transistor”, Journal of Applied Physics, 114, 163706 (2013).
[12] M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyaraky, M. Hirose, “Limit of gate oxide thickness scaling in MOSFETs due to apparent threshold voltage fluctuation induced by tunnel leakage current”, IEEE Transactions on Electron Devices, 48, 259-264 (2001).
[13] V. R. Rao, N. R. Mohapatra, “Device and circuit performance issues with deeply scaled high-k MOS transistors”, J. Semicond TechnolSci, 4, 52 (2004).
[14] R. D. Clark, “Emerging Applications for High K Materials in VLSI Technology”, Materials, 7, 2913-2944 (2014).
Xem thêm
##plugins.themes.academic_pro.article.sidebar##
Đã Xuất bản
Nov 30, 2015
Download
Cách trích dẫn
Nguyen Linh Nam. “Đặc tính điện tử của Transistor hiệu ứng trường dây Nano Silicon”. Tạp Chí Khoa học Và Công nghệ - Đại học Đà Nẵng, vol 11, số p.h 96.2, Tháng Mười-Một 2015, tr 115-9, https://jst-ud.vn/jst-ud/article/view/2989.
